dram和nand闪存区别
DRAM和NAND闪存的主要区别在于：
1. 数据保存时间：DRAM是易失性存储器，需要定期刷新以保持数据，否则数据会丢失。而NAND是非易失性存储器，可以长时间保存数据而不需要刷新。
2. 读写方式：DRAM是一种随机存储器，可以快速读写任何存储单元，适合频繁读写的场合。而NAND是一种串行存储器，只能按照顺序读写数据，但比较稳定可靠，适合用于需要长时间保存数据的场合。
3. 应用场景：DRAM由于其快速的读写速度和高性能的特点，广泛应用于计算机的内存。而NAND由于其较大的存储容量和较好的数据持久性，被广泛应用于存储介质中，例如USB闪存驱动器、SSD和手机内存等。
4. 内部结构：DRAM由许多存储单元组成，每个存储单元由一个电容和一个晶体管组成。而NAND的内部结构与DRAM不同，每个存储单元由一个晶体管和一个电容组成。
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