可控硅怎么测量好坏?
一、可控硅的测量方法:
1.直接测量法。直接测量法是一种常见的可控硅测量方法。它的原理是通过使用数字万用表或模拟万用表直接将可控硅引出的两个端口连接到表进行测试。这种方法测试的参数有:电压、电流、电阻、功率等。通过使用直接测量法可以快速地测量可控硅的性能,但是在高电压或高电流的情况下测试需要注意安全性。
2.反向测量法。反向测量法也是一种常用的可控硅测量方法。反向测量法的原理是通过正向和反向测试可控硅的电压,以确定其性能。反向测量法可用于测试可控硅的正向和反向电压。在反向测量法中,我们需要将可控硅的主导端口连接到正向电压源,并将另一个端口连接到反向电压源。通过这种方式,我们可以测量可控硅的正向和反向电压。
3.串联测量法。串联测量法是一种使用串连电阻器来降低电流的测试方法。
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